特許

J-GLOBAL ID：200903080000879613

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 漢那 慎一
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245335
公開番号（公開出願番号）：特開2009-075430
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、ラインエッジラフネスに優れ、且つ液浸液の水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定構造の、アルコキシ基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)フッ素および珪素を含有せず、特定構造の、2つ以上の-CH3部分を有する炭化水素基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び(D)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、 (C)フッ素および珪素を含有せず、下記一般式(C-I)〜(C-III)から選ばれる繰り返し単位を有する樹脂及び (D)溶剤 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28

Fターム (30件)：

2H025AA03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  4J100AL08P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA06P ,  4J100BC09P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭57-153433号公報
  
• パターン形成方法及びその露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008136   出願人：株式会社日立製作所
• 国際公開第04-077158号パンフレット
  
• 国際公開第04-068242号パンフレット