薄膜多層基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133695
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】アライメントマークの位置誤認を防止して、高精度で信頼性の高い薄膜多層基板を形成する。【解決手段】絶縁層30を介して積層されたパターン18をビアポスト26により層間で電気的に接続して成る薄膜多層基板の製造方法において、前記パターン18を形成する際に、所定の平面形状のアライメントマークよりも平面寸法の大きなアライメントマークベース21を形成し、前記パターン18にビアポスト26を形成する際に、所定の平面形状のアライメントマーク20をポスト状に前記アライメントマークベース21上に形成し、前記ビアポスト26とポスト状のアライメントマーク20が埋没するように絶縁層30を形成し、前記ビアポストおよびアライメントマークの端面が絶縁層の表面に露出するよう平坦化処理を施す。

請求項（抜粋）：

パターン上にビアポストを立設するとともに、位置合わせ用のアライメントマークをポスト状に形成し、前記パターン、ビアポストおよびアライメントマークが埋没するように絶縁層により被覆し、前記絶縁層の表面をストッパメタルにより被覆した後、平坦化処理を施してアライメントマークの表面を絶縁層から露出させることによりアライメントマークの端面を識別してパターンを形成可能とする薄膜多層基板の製造方法において、前記アライメントマークよりも平面寸法の大きなアライメントマークベース上にポスト状に前記アライメントマークを形成し、前記平坦化処理を施すことを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , H01L 21/02 , H01L 21/027 , H01L 27/00 301

FI (4件)：

H01L 21/68 F , H01L 21/02 A , H01L 27/00 301 B , H01L 21/30 506 A

Fターム (6件)：

5F031JA38 , 5F031MA22 , 5F046AA26 , 5F046EA13 , 5F046EA18 , 5F046FA05

引用特許：

出願人引用 (6件)

厚膜・薄膜混成多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-116218 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-256913 出願人：日本電気株式会社
特開平3-108798

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