特許

J-GLOBAL ID：200903080021881685

半導体装置

発明者： 長井 浩之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017955
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 ペレットの条件に制約されずに受動素子を自由に設計でき、寄生素子の形成を抑制できる半導体装置を提供する。【構成】 MMIC1において、GaAsペレット2の裏面に誘電体で形成されたサブマウント10が装着され、サブマウント10の表裏面に第1導電体層11と第2導電体層12とが被着されコンデンサ13が構成されている。サブマウント10の表面に抵抗15とインダクタ14が形成されている。抵抗15はペレットをサブマウントに接着する接着材層20で形成されている。これら受動素子13、14、15は能動素子であるペレット2のGaAsFETに接続されている。【効果】 サブマウントに容量、抵抗、インダクタが形成されているため、ペレットの条件に制約されずに自由に設定でき、寄生素子が形成されるのを回避できる。

請求項（抜粋）：

半導体ペレットに能動素子が作り込まれている半導体装置において、前記半導体ペレットの裏面に誘電体によって形成されたサブマウントが装着されており、このサブマウントによって前記能動素子に接続された容量が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 P ,  H01L 29/80