特許

J-GLOBAL ID：200903080026299879

炭化珪素質部材及びその製造方法

発明者： 加藤 茂男 ,  市島 雅彦 ,  稲葉 毅 ,  武田 修一 ,  佐藤 勝憲
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045485
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 Si含浸炭化珪素質基材とその表面にCVD法で形成するSiC薄膜との密着性を高め、SiC薄膜の耐剥離性を高めることによって、耐酸化性、耐薬品性、耐熱衝撃性等の諸特性に優れた炭化珪素質部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Siを含浸した炭化珪素基材の表面に炭素を被覆する工程と、SiCの生成温度で加熱して前述の炭素で基材表面のSiをSiC化してSiC転化層を形成する工程と、未反応の炭素を除去する工程と、少くとも部分的にSiC転化層が形成された基材表面にCVD法によりSiC薄膜を形成する工程からなる炭化珪素質部材の製造方法。また、SiC粒子部及びSi部からなるSi含浸の炭化珪素質基材にCVD法によりSiC薄膜を形成した炭化珪素質部材において、上記炭化珪素質基材の表面が、上記SiC粒子部及び上記Si部をSiC化したSiC転化層からなる。

請求項（抜粋）：

Siを含浸した炭化珪素基材の表面に炭素を被覆する工程と、SiCの生成温度で加熱して前述の炭素で基材表面のSiをSiC化してSiC転化層を形成する工程と、未反応の炭素を除去する工程と、少くとも部分的にSiC転化層が形成された基材表面にCVD法によりSiC薄膜を形成する工程からなることを特徴とする炭化珪素質部材の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 41/85 ,  C04B 35/565 ,  C04B 41/87 ,  C04B 41/89 ,  H01L 21/22 501

FI (5件)：

C04B 41/85 B ,  C04B 41/87 G ,  C04B 41/89 K ,  H01L 21/22 501 M ,  C04B 35/56 101 X