特許

J-GLOBAL ID：200903080026744724

金属薄膜の形成方法および形成装置

発明者： 菅井 和己 ,  岡林 秀和 ,  八子 忠明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212650
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045773
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】半導体装置やディスプレイ装置の接続孔を金属薄膜で隙間なく埋め込み、下層との良好な電気的接続を実現する。【解決手段】基板1の全面にジイソブチルアルミニウムハイドライド(Al(i-C4H9)2H)5を滴下した後、基板が設置された容器内にアルゴンガス6を約100Kg/cm2の圧力で充填する。これによって、微細孔内部にまで、ジイソブチルアルミニウムハイドライドが浸入する。この基板を加熱すると高純度なAl膜8が形成される。

請求項（抜粋）：

接続孔が開口されてなる絶縁膜を表面に有する基板上に金属膜を形成する工程が、(a)前記金属を含む液体原料または該液体原料の希釈液と、前記基板と、を接触させる工程と、(b)前記基板表面を加圧する工程と、(c)前記基板を加熱する工程と、を含むことを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  C23C 18/08 ,  C23C 18/10 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 A ,  C23C 18/08 ,  C23C 18/10 ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-094433
  
• 特開平4-053132
  
• 特開昭60-091632
  
• 特開昭63-253621