半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242592
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069428
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、エミッタやコレクタコンタクト部にバリアメタルを必要とする微細なショットキーTTLにおいて、金属配線層の工程数増加を抑制しつつ、ショットキー特性及びバイポーラトランジスタ特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【構成】ショットキーダイオードとショットキーダイオード以外の能動素子を同一基体上に混成する集積回路素子において、前記ショットキーダイオード部分のコンタクトホールの半導体層との接触金属層がショットキー特性を有する金属(Al 105)で構成されており、前記ショットキーダイオード以外のコンタクトホールの半導体層との接触金属層がバリアメタル(111)で構成されていることを特徴とする半導体装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

ショットキーダイオードとショットキーダイオード以外の能動素子を同一基体上に混成する集積回路素子において、前記ショットキーダイオード部分のコンタクトホールの半導体層との接触金属層がショットキー特性を有する金属で構成されており、前記ショットキーダイオード以外のコンタクトホールの半導体層との接触金属層がバリアメタルで構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/06 , B41J 2/16 , H03K 19/088 , H01L 31/108

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D , B41J 3/04 103 H , H01L 31/10 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-212163
特開昭58-212163

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