特許
J-GLOBAL ID：200903080035459765
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338193
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188508
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 不純物の拡散を抑制する層を設けることにより、発光効率を低下させる事なく、良好な電流阻止機能を得ること。【構成】 電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、又はSe又はTeをドープした、層厚0.05≦d≦0.3μm、組成がAlxGa1-xAl(x≦0.05)又は(AlXGa1-X)1-yInyP(x≦0.05)の層を設ける。
請求項（抜粋）：
AlxGa1-xAs系又は(AlxGa1-x)1-YInYP系半導体材料の積層構造からなり、p型不純物としてZn又はMg又はBeを用いる半導体レーザ素子において、電流阻止層に隣接して、Al液晶比X≦0.05、厚さ0.05≦d≦0.3μm、ノンドープ、又はSe又はTeをドープした拡散防止層を配置した半導体レーザ素子。
引用特許：
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