特許

J-GLOBAL ID：200903080036020511

縦型MOS半導体装置の製造方法

発明者： 夏目 正 ,  小池 理麿
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310811
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167619
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 パターンの微細化によるオン抵抗の低減を維持しつつ、且つ高耐圧化及び高速化することのできる縦型MOS半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1,2にガードリング拡散領域3を形成する工程と、ボディ領域6を拡散により形成するとともにボディ領域6を形成するドーパントと共にライフタイムキラー材を半導体基板1内に導入する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板にボディ領域の形成とは別にガードリング拡散領域を形成する工程と、該ガードリング拡散領域の形成後に、ボディ領域を形成するドーパントと共にライフタイムキラー材を前記半導体基板内に導入してボディ領域を拡散により形成する工程とを含むことを特徴とする縦型MOS半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-287966
  
• 特開昭58-100460
  
• 特開平2-135737
  
• 特開昭57-207382