高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302726
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される基を含有する高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3,R4は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3,R4のうち少なくとも一つはフッ素原子を含む。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている上に、ネガ化の進行も抑えられることがわかった。従って本発明のレジスト材料は、これらの特性により、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となりうるもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される基を含有する高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3,R4は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3,R4のうち少なくとも一つはフッ素原子を含む。)

IPC (8件)：

C08F 20/00 , C08F 22/40 , C08F 32/08 , C08K 5/00 , C08L101/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (8件)：

C08F 20/00 , C08F 22/40 , C08F 32/08 , C08K 5/00 , C08L101/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (32件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002EB106 , 4J002EQ036 , 4J002ES016 , 4J002EV236 , 4J002EV296 , 4J002FD146 , 4J100AK32P , 4J100AL08P , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100BA15P , 4J100BB07P , 4J100BB10P , 4J100BB18P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100DA28 , 4J100DA61 , 4J100FA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-196232
特開昭57-196232
特開昭54-145126

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