特許

J-GLOBAL ID：200903080040253970

配線構造及び配線構造の製造方法

発明者： 山下 保彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029700
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222629
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールをAl合金で埋め込む場合に、埋め込みやすい構造で、且つコンタクト抵抗の良好なものを得ること。【構成】 下層配線7を形成し、下層配線の上に層間絶縁膜9を堆積し、この層間絶縁膜に下層配線に通じるコンタクトホール10を形成し、コンタクトホール側壁に窒化チタンからなるサイドウォール12を形成し、コンタクトホール内に少なくともアルミニウムを含む金属により埋め込み、上層配線14を形成する。

請求項（抜粋）：

下層導電領域と上層導電領域間を接続するコンタクトホールの側壁に、導電性材料からなるサイドウォ-ルを形成したことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 B