特許
J-GLOBAL ID：200903080041372779

フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物、フタロシアニン近赤外吸収材料及びそれらの製造方法並びに光情報記録媒体

発明者：
戸村 辰也

戸村 辰也 について

, 
笹 登

笹 登 について

, 
佐藤 勉

佐藤 勉 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047806
公開番号（公開出願番号）：特開平8-217738
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：
【要約】【構成】 フタロシアニン骨格のベンゼン環に-O(又はS)-(ノル)ボルナン(又はノルボルネン)残基からなる置換基を導入してなるフタロシアニン近赤外吸収材料、その中間体である同置換基を有するフタロニトリル化合物とジイミノイソインドリン化合物及びそれらの製造方法並びに該フタロシアニン化合物を記録層に含有してなる光情報記録媒体。【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料は、良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利用形態が非常に拡大され、該材料を用いた光情報記録媒体は、高密度記録が可能な630〜720nmのレーザーを用いたピックアップに適応でき、しかも770〜830nmに高い屈折率を有し、保存寿命が長く再生による劣化の少ない追記型CD用、追記型CD-R用の媒体を提供できる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で示されるフタロニトリル化合物。【化1】(式中、X1、R1及びyはそれぞれ以下のものを表わす。X1:酸素又は硫黄原子、R1:置換されていてもよい又はメチレン基を介してX1と結合してもよいボルナン残基、ノルボルナン残基及びノルボルネン残基から選ばれた1種の残基、y:1又は2。)
IPC (12件)：
C07C255/54 ,  B41M 5/26 ,  C07C253/30 ,  C07C255/56 ,  C07C319/20 ,  C07C323/62 ,  C07D487/22 ,  C09B 47/18 ,  C09B 47/20 ,  C09B 47/30 ,  C09K 3/00 105 ,  G11B 7/24 516
FI (12件)：
C07C255/54 ,  C07C253/30 ,  C07C255/56 ,  C07C319/20 ,  C07C323/62 ,  C07D487/22 ,  C09B 47/18 ,  C09B 47/20 ,  C09B 47/30 ,  C09K 3/00 105 ,  G11B 7/24 516 ,  B41M 5/26 Y
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM