不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147707
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242891
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】書き込みレベルのディスターブ特性を改善でき、また、すべての書き込みステップにおいて書き込み不十分なセルを高速に検出できる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。【解決手段】データ“10”のレベルがディスターブに対して最も弱いことから、本装置10では、書き込みデータが“01”、“00”のメモリセルに対して“01”のレベルへの書き込みを行った後、書き込みデータ“00”のメモリセルの書き込みを行い、最後に書き込みデータ“10”のセルに対して書込みを行って4値の書込みを終了するように構成したので、書き込みレベルのディスターブ特性を改善できる利点がある。また、すべての書き込みステップにおいて高速に書き込み不十分セルの検出が可能となる。

請求項（抜粋）：

ワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化し、しきい値電圧に応じた値のデータを記憶するメモリセルを有し、多ビットデータをページ単位でメモリセルに書き込む不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に、最上位ビットが書込みを行うデータのメモリセルを先に書き込みを行い、その後、最上位ビットが書込みを行わないデータの、メモリセルの書き込みを行う書込制御手段を有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 17/00 611 G , G11C 17/00 611 F , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 634 G , G11C 17/00 641

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