特許

J-GLOBAL ID：200903080044776200

半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 波田 博光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031396
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は微細な強誘電体容量を有する半導体記憶装置およびその製造方法を提供することにある。微細な強誘電体容量を再現性良く形成できるため高集積化、信頼性向上、歩留り向上による生産性向上が実現可能である。【解決手段】 半導体記憶装置の強誘電体容量を、微細加工が可能なシリコン酸化膜中の微細な開孔中に埋め込んだ形で形成する。レジストをマスクに用いて微細な強誘電体容量を形成する必要がないため、従来形成不可能であった微細な強誘電体容量が容易に再現性良く形成可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたトランジスタと、このトランジスタと電気的に接続された強誘電体容量とを有する半導体記憶装置であって、前記トランジスタ上部に形成された層間絶縁膜中に、強誘電体膜の一部または全部が埋め込まれた構造を有し、この強誘電体膜の埋め込まれた部分の底面及び側面が、下部電極により被覆されており、前記強誘電体膜の上面に上部電極が形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (15件)：

5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR23 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-138158   出願人：新日本製鐵株式会社
• 誘電体キャパシタおよびその製造方法並びにそれを用いた誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-018982   出願人：ソニー株式会社