特許
J-GLOBAL ID:200903080047794616
有機EL素子の封止方法および有機EL素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 静男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-214718
公開番号(公開出願番号):特開平8-078159
出願日: 1994年09月08日
公開日(公表日): 1996年03月22日
要約:
【要約】【目的】 有機EL素子におけるダークスポットの成長を強く抑制することができる有機EL素子の封止方法およびダークスポットの成長が起こりにくい有機EL素子を提供する。【構成】 本発明の有機EL素子の封止方法は、陽極と陰極とが少なくとも発光層を介して積層されてる有機EL素子の外周に、溶存酸素濃度が1ppm以下の不活性液体層を設けることを特徴とするものである。また、本発明の有機EL素子は、上記の本発明の方法により封止されていることを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
陽極と陰極とが少なくとも発光層を介して積層されてる有機EL素子の外周に、溶存酸素濃度が1ppm以下の不活性液体層を設けることを特徴とする有機EL素子の封止方法。
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