SOIウェーハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209911
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055752
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】SOI層の要求膜厚レベルが非常に小さい場合においても、ウェーハ内の膜厚均一性及びウェーハ間の膜厚均一性の双方を十分小さいレベルに軽減できるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ボンドウェーハ1に対し剥離用イオン注入層4を形成し、さらに該剥離用イオン注入層4よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入6層を形成する。そして、それら2つのイオン注入層4,6が形成されたボンドウェーハ1をベースウェーハ7に結合した後、ボンドウェーハ1から結合シリコン単結晶薄膜5を剥離用イオン注入層4にて剥離する。そして、この剥離によりベースウェーハ7上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜5表層部を、エッチストップ用イオン注入層6に基づいて形成されたエッチストップ層6’までエッチバックする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一基板とシリコン単結晶からなる第二基板との少なくともいずれかの第一主表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記第二基板の第一主表面からイオンを打ち込むことにより、深さ方向のイオン注入プロファイルにおいて、第一の深さ位置に濃度ピークを有する剥離用イオン注入層を形成する剥離用イオン注入層形成工程と、前記第二基板の第一主表面からイオンを打ち込むことにより、深さ方向のイオン注入プロファイルにおいて、前記第一の深さ位置よりも浅い第二の深さ位置に濃度ピークを有するエッチストップ用イオン注入層を形成するエッチストップ用イオン注入層形成工程と、前記剥離用イオン注入層と前記エッチストップ用イオン注入層とが形成された前記第二基板と、前記第一基板との前記第一主表面同士を、前記絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、該貼り合わせ工程の後、前記エッチストップ用イオン注入層を含んだSOI層となるべき結合シリコン単結晶薄膜を、前記第二基板より前記剥離用イオン注入層において剥離する剥離工程と、前記結合シリコン単結晶薄膜中に、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層を前記エッチストップ用イオン注入層に基づいて形成するエッチストップ層形成工程と、前記結合シリコン単結晶薄膜の前記エッチストップ層よりも表層側を、酸素濃度差に基づいて選択エッチングすることにより、前記結合シリコン単結晶薄膜を減厚する減厚工程と、を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L27/12 , H01L21/265

FI (2件)：

H01L27/12 B , H01L21/265 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-001914
特開平4-079372
半導体基板の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016523 出願人：キヤノン株式会社

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