特許

J-GLOBAL ID：200903080048986942

薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116586
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294467
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性基板よりも上層の平坦度が高いためにコストの低い薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板11上のSiNx 膜12に溝12aを形成し、ソース15a等を含む多結晶Si膜15を溝12a内に形成する。そして、ゲート絶縁膜であるSiNx 膜16とソース電極17a等とを形成する。このため、多結晶Si膜15による凹凸がなく、SiNx 膜12よりも上層の平坦度が高いために、段差部におけるソース電極17a等の切断が少なく、薄いSiNx 膜16でも絶縁耐圧を確保することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板中に埋め込まれている導電層を具備することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (6件)：

H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C