特許
J-GLOBAL ID：200903080053276562
隔離層を生成する金属上に、必要に応じて改質した酸化物セラミックス層を作りだす方法と、これから作られる物体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安達 光雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-239692
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】 隔離層を形成する金属または合金上にプラズマ化学的陽極酸化により酸化物セラミックス層を形成する。【構成】 Al,Mg,Ti,Ta,Zr,Nb,Hf,Sb,W,Mo,V,Biまたはこれらの合金上に、プラズマ化学的陽極酸化によって酸化物セラミックス層を作りだす方法において、pH値2〜8、浴温度-30〜+15°C間で一定の、塩化物を含まない電解質浴中で、電位が最終値に到達するまで少なくとも1A/dm2 の一定電流密度を維持することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
Al,Mg,Ti,Ta,Zr,Nb,Hf,Sb,W,Mo,V,Biまたはこれらの合金上に、プラズマ化学的陽極酸化によって酸化物セラミックス層を作りだす方法において、pH値2〜8、浴温度-30〜+15°C間で一定の、塩化物を含まない電解質浴中で、電位が最終値に到達するまで少なくとも1A/dm2 の一定電流密度を維持することを特徴とする方法。
IPC (6件)：
C25D 11/02
, C25D 11/04 101
, C25D 11/06
, C25D 11/26
, C25D 11/30
, C25D 11/34
