薄膜気相成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153944
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325736
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】【目的】所定の高温に保たなければならない反応ガス(生成ガス)が反応容器の温度管理がなされていない部分に接触して液化又は固化し、これが成膜対象基板を汚染する汚染源となることを防止することができる薄膜気相成長装置を提供する。【構成】反応ガス導入孔20,21及び排気孔を備え、内壁が温度制御された反応室11と、反応室11に連通した下部空間であり成膜対象の基板の搬入及び搬出を行う搬送室55と、反応室11と搬送室55が連通した空間中を上下移動する成膜対象の基板を載置するヒータ機構を内蔵したステージ12とからなり、ステージ12はその外周に円筒状のスカート12Aを備え、スカート12Aの外周面はステージ12が上下する反応室11と搬送室55の連通した空間を形成する円筒状内壁面50と狭い隙間を有するように構成した。

請求項（抜粋）：

反応ガス導入孔及び排気孔を備え、内壁が温度制御された反応室と、該反応室に連通した下部空間であり成膜対象の基板の搬入及び搬出を行う搬送室と、該反応室と搬送室が連通した空間中を上下移動する成膜対象の基板を載置するヒータ機構を内蔵したステージとからなり、該ステージはその外周に円筒状のスカートを備え、該スカートの外周面は前記ステージが上下する反応室と搬送室の連通した空間を形成する円筒状内壁面と狭い隙間を有するように構成したことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (6件)：

C23C 16/40 , C23C 16/44 , C30B 25/06 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C23C 16/40 , C23C 16/44 J , C30B 25/06 , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 39/24 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (2件)

薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-138253 出願人：株式会社東芝
特開平4-096324

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