特許

J-GLOBAL ID：200903080057729820

半導体集積回路

発明者： 水野 幹滋
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355883
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158336
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 TaN膜をトリミング素子として実装し、電流トリミングとレーザトリミングをともに可能にする半導体集積回路を得ること。【解決手段】 金属配線層16のバリアメタルとして機能するTaN膜層15を、密着した金属配線層16の一部を除去してTaN膜単層とし、そのTaN膜単層部分をヒューズとして機能するトリミング用抵抗体R10として利用する。

請求項（抜粋）：

金属配線層のバリアメタルとして形成された窒化タンタル膜を有する半導体集積回路において、前記金属配線層の一部が除去されることで形成された窒化タンタル膜の単層部分からなるトリミング用抵抗体を備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 V ,  H01L 21/82 F

Fターム (17件)：

5F038AR07 ,  5F038AR19 ,  5F038AR21 ,  5F038AV02 ,  5F038AV03 ,  5F038AV05 ,  5F038AV15 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC02 ,  5F064CC22 ,  5F064FF05 ,  5F064FF27 ,  5F064FF33 ,  5F064FF42 ,  5F064FF45 ,  5F064FF46