特許

J-GLOBAL ID：200903080066012351

半導体チップおよびそれを用いた半導体装置

発明者： 中村 憲仁 ,  中本 行英
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296648
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189870
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】本発明は、制御部とパワー部とを有する複合型半導体装置において、容易に小型化できるようにすることを特徴とする。【解決手段】たとえば、半導体チップ11の一主面に形成されたパワー素子部12を、リードフレーム21の各ベッド22a,22b,22c上に、導電性接着剤31により接着する。こうして、IGBTの電極端子Cと外部接続リード23aとを、電極端子Eと外部接続リード23dとを、電極端子Gと内部接続リード24とを、それぞれ接続する。また、半導体チップ11の他主面側に形成された制御素子部13の各電極端子13a〜13dを、ボンディングワイヤ41を介して、外部接続リード23b〜23eのそれぞれに接続する。そして、外部接続リード23a〜23eの先端部分を露出させるようにして、半導体チップ11の周囲をパッケージ51によって封止する構成とされている。

請求項（抜粋）：

絶縁層を介して、その上下方向に設けられた、第1、第2の半導体層のそれぞれに第1、第2の集積回路が形成されてなることを特徴とする半導体チップ。

IPC (6件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/00 301 B ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 27/04 A ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 656 F