特許

J-GLOBAL ID：200903080067841017

低誘電率集積回路のクラック止めと酸素バリア

発明者： ヘンリー・エイ・ネヤ・サード ,  ビンセント・ジェイ・アクガヘイ ,  カート・エイ・トールマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267325
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】切り口に隣接したクラック止めが誘電体内の酸素の拡散に対する1次バリアとしても用いられるとき、相互接続の腐食を少なくする低誘電率の銅相互接続集積回路を提供すること。【解決手段】対応するクラック止め要素が回路相互接続要素と同時に形成される。例えば水平相互接続要素はクラック止めに対応する構造を有し、相互接続層間のバイアもクラック止めに対応する構造を有する。

請求項（抜粋）：

一組のクラック止め垂直部材と一組のクラック止め水平部材を含む回路要素を囲む複合クラック止め構造を有する集積回路を形成する方法であって、半導体基板に一組のアクティブ・デバイスを形成するステップと、前記一組のアクティブ・デバイスを接続して回路を形成するステップとを含み、前記回路を形成するステップは、a)第1の組の相互接続バイアと第1の組のクラック止め垂直部材を第1誘電層に同時に形成するステップと、b)第1の組の相互接続水平部材と第1の組のクラック止め水平部材を、前記第1誘電層上に直接配置された第2誘電層に同時に形成するステップとを含み、該第1の組のクラック止め水平部材は前記第1の組のクラック止め垂直部材上に直接配置され、前記1組の相互接続部材が完成するまで前記ステップa)及びb)を繰り返し、前記1組のクラック止め部材が前記クラック止め構造を形成し、最後の誘電層により最後のクラック止め部材層を囲む、ステップと、前記最後の誘電層上にキャップ層を被着するステップと、前記クラック止め構造上の前記キャップ層に開口を形成し、該開口に密着性金属ライナを被着するステップと、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293707   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• クラックストッパを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072194   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション