特許

J-GLOBAL ID：200903080068087537

半導体レーザの製造方法

発明者： 石野 正人 ,  大塚 信之 ,  冨士原 潔 ,  鬼頭 雅弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104313
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299764
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 再現性良好にかつ容易なプロセスで低しきい値かつ低リーク電流を実現する。【構成】 (100) 面を主面とするn-InP 基板11上に<011> 方向への周期構造を有する回折格子12を形成する。SiO<SB>2</SB> 膜を堆積したのちストライプ状の開口部を形成して、SiO<SB>2</SB> 膜からなる絶縁膜パターン13を形成する。開口部上に、MOVPE法によりn-InGaAsP 光導波層14,InGaAsP 活性層15,p-InP クラッド層16(d=0.4 μm)およびInGaAsP マスク層17を順次積層し台形状活性層ストライプを形成する。絶縁膜パターン13を除去した後、塩酸を含む混合液でn-InP 基板11を2μmから3μmの深さでエッチングする。LPE法によりp-InP 埋め込み層18,n-InP ブロック層19,p-InP 平坦化層20およびp-InGaAsP コンタクト層21を順次エピタキシャル成長を行い埋め込み型ヘテロ構造を形成する。

請求項（抜粋）：

(100) 面を主面とする第1の導電型のInP 基板上に、3μm 以上7μm 以下の<011> 方向へのストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターンを形成する工程と、前記絶縁膜パターンの形成されたInP 基板の前記開口部上に、有機金属気相成長法により第1の導電型のInP クラッド層,InGaAsP もしくはInGaAs活性層および第2の導電型のInP クラッド層を選択成長させメサストライプを形成する工程と、前記絶縁膜パターンを除去した後、液相成長法により、前記メサストライプの両側の領域に第2の導電型のInP 埋め込み層および第1の導電型のInP ブロッキング層を順にエピタキシャル成長を行い、さらに全面に第2の導電型のInP 層および第2の導電型のInGaAsP もしくはInGaAsコンタクト層を順にエピタキシャル成長を行う工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。