スパッタリング装置およびスパッタリング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323520
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138753
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【目的】大面積にわたって良質な薄膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタリング装置を提供する。【構成】成膜容器1内に、表面に薄膜が形成される基板3と、ターゲット51を保持するためのターゲットホルダを兼ねると共に、ターゲット51近傍にマグネトロンプラズマを生成するための電界供給手段と主磁界供給手段とが一体化されたマグネトロン・スパッタリング源5とが対向配置されており、さらに基板3表面近傍におけるマグネトロンプラズマの空間的分散量を低減する補助磁界供給手段としての電磁石8を具備している。

請求項（抜粋）：

ガス供給系と排気系とが連通された成膜容器と、前記成膜容器内に配置されるターゲットの近傍にマグネトロンプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段と、前記マグネトロンプラズマの生成に寄与する主磁界を供給する主磁界供給手段と、前記ターゲットを原料とする薄膜が表面に形成される試料の表面近傍における前記マグネトロンプラズマの空間的分散量を低減させる補助磁界を供給する補助磁界供給手段とを具備することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/35 , H01L 21/203

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-297575
特開平4-329875
特開昭62-207863

審査官引用 (3件)

特開平4-297575
特開平4-329875
特開昭62-207863

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