特許

J-GLOBAL ID：200903080069231429

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ニコラス、ジェー.エー.バン、ベーン ,  アントニウス、ジェー.エム.ネリセン ,  マルク、エイ.デ、サンバー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-548921
公開番号（公開出願番号）：特表2002-515651
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】半導体装置は上面に内部接続用導体パターン(31、32、33)を有する第1の基板10と側面、底面を有する。接続側47に電気回路41および接続パッドを有する第2の基板40は接続側47が第1の基板の上面11に向くように第1の基板上に搭載される。接続パッド43と第1の導体パターン31は基板40と基板10との間に位置するはんだバンプ45により内部接続される。

請求項（抜粋）：

第1の基板と少なくとも1つの第2の基板を有し、 前記第1の基板は第1の主面と複数の側面を有し、前記第1の基板は前記第1の主面上に第1の導体パターンを有し、 前記第2の基板は前記第1の基板上に搭載され、前記第1の導体パターンに電気的に接続された集積回路を有している半導体装置

IPC (4件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/538

FI (5件)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/78 H ,  H01L 21/78 L ,  H01L 23/52 A

Fターム (2件)：

5F044KK01 ,  5F044LL01