特許

J-GLOBAL ID：200903080069619885

誘電体スパッタリングターゲット材およびその製造方法

発明者： 渡辺 和男 ,  丸山 仁 ,  三島 昭史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 町野 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168478
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001773
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 (Ba,Sr)Ti系酸化物焼結体スパッタリングターゲットのスパッタリング時のクラック発生、表面のチッピングなどが少なく、安定した誘電体スパッタリングターゲット材およびその製造方法の提供。【解決手段】 焼結体密度が95%以上であり、焼結体平均粒径が0.5〜10(μm)であり、含有Cl量が3(ppm)以上100(ppm)以下であるBaxSryTiO3-z(0 請求項（抜粋）：

誘電体スパッタリングターゲットにおいて、焼結体密度が95%以上であり、焼結体平均粒径が0.5〜10(μm)であり、含有Cl量が3(ppm)以上100(ppm)以下であり、BaxSryTiO3-z(0 IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/08

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/08 K

Fターム (8件)：

4K029BA50 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD40 ,  4M104GG16