特許
J-GLOBAL ID:200903080072503022

化合物半導体気相成長装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-257892
公開番号(公開出願番号):特開平10-106957
出願日: 1996年09月30日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 従来例の化合物気相成長装置のフィルターカートリッジは流入口に面した箇所に反応ガスや反応ダストによる微結晶の析出物が集中し、フィルターカートリッジの交換頻度が高かった。【解決手段】 フィルターを排気配管に配設した化合物半導体気相成長装置において、該フィルターのフィルターハウジング内のフィルターカートリッジに析出物が局所的に凝集して付着しない構造を有するフィルターをもつことを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
フィルターを排気配管に配設した化合物半導体気相成長装置において、該フィルターのフィルターハウジング内のフィルターカートリッジに析出物が局所的に凝集して付着しない構造を有するフィルターをもつことを特徴とする化合物半導体気相成長装置。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  C30B 25/14
FI (2件):
H01L 21/205 ,  C30B 25/14
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 反応生成物の処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-083683   出願人:富士通株式会社
  • 特開平4-129214
  • 特開平2-111403
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