フォトセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236980
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】高感度で、高分解能の密着型のフォトセンサを提供することを目的とする。【構成】フォトセンサ10は複数のセンサ部11がライン状に形成されたものであり、各センサ部11は絶縁性基板12上に形成された遮光性・絶縁性を有する四角形の遮光層13を有する。遮光層13には第1導光窓14が形成され、遮光層13及び絶縁性基板12を覆って透明絶縁膜15が形成される。透明絶縁膜15を挟み遮光層13上にシリコン薄膜層16が形成され、そのチャネル領域16aには第2導光窓17が形成される。チャネル領域16aの左右両側のソース・ドレイン領域16b上にソース電極18とドレイン電極19が形成され、これらを光透過性・絶縁性を有する保護層20が覆っている。この保護膜20内のシリコン薄膜層16の上部に透明なゲート電極21が形成され、上記第1導光窓14及び第2導光窓17は相対向する状態でシリコン薄膜層16のチャネル長さ方向に長く、その幅方向に短い長方形に形成されている。

請求項（抜粋）：

光透過性を有する基板と、前記基板上に形成され照射光を遮光する遮光層と、前記遮光層に形成され前記基板側からの照射光を透過する第1導光窓と、前記遮光層上に形成され、チャネル領域と該チャネル領域を挟んで相対向するソース領域及びドレイン領域とを有するシリコン薄膜層と、前記シリコン薄膜層のチャネル領域の前記第1導光窓と相対向する位置に形成され前記第1導光窓を透過した照射光を透過する第2導光窓と、前記シリコン薄膜層上に形成された透明ゲート電極と、が積層されることにより形成され、前記基板側から照射された光が前記第1導光窓及び第2導光窓を通過して前記透明ゲート電極側に位置する被検知対象に照射され、該被検知対象からの反射光を前記シリコン薄膜のチャネル領域で受光するフォトセンサであって、前記第1導光窓及び前記第2導光窓が、前記チャネル領域の長さ方向に長く、前記チャネル領域の幅方向に短い形状に形成されたことを特徴とするフォトセンサ。

IPC (8件)：

H01L 27/146 , H01L 21/288 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 29/40 , H01L 29/784 , H01L 31/10 , H04N 1/028

FI (4件)：

H01L 27/14 C , H01L 23/30 E , H01L 29/78 311 J , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-244763
特開平4-240630
特開平4-299578

全件表示

前のページに戻る