特許
J-GLOBAL ID:200903080083439172
噴流式ウェットエッチング装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
熊谷 雄太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-175735
公開番号(公開出願番号):特開平6-021040
出願日: 1992年07月02日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】 大口径および微細化する半導体装置をウェツトエッチングする場合に、常に新鮮な薬液をウェハース表面に供給し、裏面を導電性チャックで吸着することにより、パーティクルの付着を防止し、加工精度を向上させる。【構成】 ウェハ3を導電性の真空チャック1で表面を下向きにして保持し、下からノズル4を通してエッチング薬液の噴流を表面に吹きつける。これにより、パーティクルや薬液の微粒子(ミスト)の付着、裏面からのパーティクルの回り込みを防ぎ、加工精度を向上させる。
請求項(抜粋):
ウェハの裏面を真空吸着する導電性の真空チャックと、ウェハの表面を下向きにウェハを保持するウェハホルダと、ウェハの表面にエッチング液を吹きつけるポンプとを有し、エッチング液を噴流状にウェハの表面に吹きつけ、エッチングすることを特徴とする噴流式ウェットエッチング装置。
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭60-231330
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特開昭63-086523
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