特許

J-GLOBAL ID：200903080085248170

発光素子

発明者： 河田 雅彦 ,  大家 彰 ,  百瀬 正之 ,  後藤 順 ,  望月 和浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060305
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264876
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】良好なp型コンタクトを得、発光素子の素子特性を向上させる。【構成】ZnTeキャップ層36をドーピングする層38とドーピングしない層37を交互に積層することにより、ZnTe中の実効的ドーピングレベルを制御し、また、ZnTe/ZnSe超格子層のZnSe層のみにドーピングすることにより、窒素の拡散を抑制する。【効果】本発明により、ZnSe層の最適ドーピング条件を維持したままZnTe層の実効的ドーピングレベルを窒素がZnSe層に過剰拡散しない程度に容易に制御できるようになった。これにより、従来方法では困難であったp型電極とのコンタクトが容易になり、かつ、p電極との接触抵抗を低減することができ、発光素子の素子特性が向上する。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体を用いた発光素子において、p型電極とII-VI族化合物半導体との間に不純物ドーピングした第1の半導体と、同一のドーピング条件において第1の半導体より多くの不純物がドーピングされる第2の半導体とのヘテロ構造を設け、第1の半導体には一様にドーピングし、第2の半導体には不純物をドーピングする層とドーピングしない層を交互に成長することにより、第2の半導体中のドーピングレベルを実効的に減少させ、第2の半導体から第1の半導体への不純物拡散を防止するp型コンタクト層を有することを特徴とする発光素子。