特許

J-GLOBAL ID：200903080085854320

単結晶製造装置

発明者： 北岡 英二 ,  奥田 隆広 ,  土居 公司 ,  木藤 泰男
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028022
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221389
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 従来のマイクロパイプ欠陥を防止する製造方法では、原料から昇華した昇華ガスがるつぼの外側に排気されるるつぼ構造であるために、昇華ガスによりるつぼを覆う断熱材の劣化が著しく、真空容器及び排気管の内壁を汚染し、装置の寿命を低下させる。【解決手段】 本発明は、黒鉛製るつぼ1の上部に載設された黒鉛製上蓋15内に、開孔6を通って流れてきた昇華ガスを滞留させ、再結晶させる密閉構造により、昇華ガスを外側に排気することによる断熱材7の劣化を抑え、真空容器10及び、排気管11の内壁を汚染することなく、黒鉛製るつぼ1内で加熱昇華により炭化珪素原料粉末2から生成された昇華ガスが、種結晶を含有する単結晶基板3中の種結晶の表面に沿って平行して流れ、該表面上に単結晶を成長する単結晶製造装置である。

請求項（抜粋）：

製造すべき単結晶の原料を不活性ガス雰囲気中で加熱昇華させ、単結晶を成長させる単結晶製造装置において、前記原料を充填し、加熱により該原料から昇華ガスを生成するるつぼと、前記るつぼの上部に載設され、前記原料と対向する開孔が形成された仕切板と、前記るつぼの内側面に配置され、種結晶を含有する単結晶基板と、前記仕切板の上部に載設され、前記るつぼおよび仕切板よりも低温を維持し、前記るつぼからの昇華ガスを再結晶化させて昇華ガスをトラップする上蓋とを具備し、前記単結晶基板が、前記開孔とを結ぶ直線上位置で且つ、前記昇華ガスを該開孔を介して、前記上蓋内に排気し、前記上蓋に昇華ガスを再結晶化させる際に、該昇華ガスを流れる方向が該単結晶基板中の種結晶の表面に沿って略平行となるように配置されていることを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (4件)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z