特許

J-GLOBAL ID：200903080091062568

半導体記憶装置

発明者： 伊原 誠
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239813
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089577
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 不必要な遅延時間のないアクセスタイムの短い半導体記憶装置を提供する。【構成】 データを記憶するためのメモリセル33、メモリセル33に記憶されたデータに応じた電位にチャージされるビット線対31、ビット線対31と電気的に接続されるデータ線対32、データ線対32の電位差を増幅し、そのデータに対応する信号を出力するためのメインアンプ5を備えた半導体記憶装置であって、メインアンプ5は、データ線対32の電位差が予め決められた一定の値より大きくなった時にはじめてそのデータに対応する信号を出力する。

請求項（抜粋）：

データを記憶するためのメモリセル、該メモリセルに記憶されたデータに応じた電位にチャージされるビット線対、該ビット線対と電気的に接続されるデータ線対、該データ線対の電位差を増幅し、該データに対応する信号を出力するためのメインアンプを備えた半導体記憶装置であって、該メインアンプは、該データ線対の電位差が予め決められた一定の値より大きくなった時にはじめて該データに対応する信号を出力する、半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-160815
  
• 特開平2-015486
  
• 特開昭62-175995
  
• 特開平4-026985