特許

J-GLOBAL ID：200903080094700301

複合圧電基板とその製造方法

発明者： 江田 和生 ,  冨田 佳宏 ,  田口 豊 ,  川崎 修
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028993
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221392
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 熱的、機械的に安定で、高精度加工の可能な、圧電基板であるランガサイト基板とシリコン基板を一体に集積化した複合圧電基板の構造とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ランガサイト基板1およびシリコン基板2の接合予定部を極めて清浄にし、さらに親水化処理し、重ね合わせて熱処理することにより、前記ランガサイト基板1に前記シリコン基板2を、界面の水酸基の水素結合または酸素の共有結合により接合するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

ランガサイト基板とシリコン基板が、界面の水酸基の水素結合または酸素との共有結合により直接接合されていることを特徴とする複合圧電基板。

IPC (8件)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/34 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/25

FI (8件)：

C30B 29/06 Z ,  C30B 29/34 Z ,  H03H 3/02 B ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/17 G ,  H03H 9/25 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z