特許
J-GLOBAL ID：200903080095830322
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167092
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012889
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】ETOX型セルのアレイを用いたEEPROMの消去に際して、閾値のばらつきにより消去し易くなっているセルの過消去を防止する。【構成】トンネル・オキサイド型不揮発性メモリセル11のアレイを用いたEEPROMにおいて、セルアレイを複数ブロックに分割してそれぞれソース線14を設け、この各ソース線にそれぞれ対応して高抵抗19あるいは定電流性負荷を接続しておき、消去モード時には全てのブロックまたは選択されたブロックのソース線に前記高抵抗あるいは定電流性負荷を介して高電圧を印加するようにしてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
積層ゲート構造を有する1個のMOSトランジスタで構成され、ドレインおよびコントロールゲートに高電圧が与えられることによりデータ書き込みを行い、ゲートに低電圧が与えられると共にソースに高電圧が与えられることによりデータ消去を行うトンネル・オキサイド型不揮発性メモリセル群が行列状に配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイが複数個に分割されたブロックにそれぞれ設けられたソース線と、この各ソース線にそれぞれ対応して接続された高抵抗と、データ消去モード時に全てのブロックまたは選択されたブロックのソース線に前記高抵抗を介して高電圧を印加する手段とを具備することを特徴する不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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