特許

J-GLOBAL ID：200903080104940055

有機LED素子の製造方法

発明者： 諏訪 俊一
出願人/特許権者： オプトレックス株式会社
代理人 (1件)： 大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-016640
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200662
出願日： 2006年01月25日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】従来より駆動電圧を減少させることのできる有機LED素子の製造方法を提供する。【解決手段】陰極9は、第1の導電層9a、バッファ層9bおよび第2の導電層9cが順次積層されて形成される。バッファ層9bはLiF層であることが好ましく、第1の導電層9aおよび第2の導電層9cは、ともにAl層であることが好ましい。陰極9を形成した後にエージングを行うことによって、従来より駆動電圧の低い有機LED素子1を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に、陽極、発光層を含む有機層および陰極が順次積層されてなる積層体が形成された有機LED素子の製造方法において、 前記陰極は、第1の導電層、バッファ層および第2の導電層が順次配置されて形成され、 前記積層体を形成した後にエージングを行うことを特徴とする有機LED素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z

Fターム (5件)：

3K007AB06 ,  3K007CB04 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00