特許

J-GLOBAL ID：200903080106456398

特性評価用半導体装置および特性評価方法

発明者： 辻野 光紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071422
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270520
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜分離層とゲート酸化膜の境界部の測定面積を大きくして、測定精度を高めることができる特性評価用半導体装置および特性評価方法を提供する。【解決手段】 半導体層(ウエル層)1上には酸化膜分離層(フィールド酸化膜)2が選択的に形成され、当該酸化膜分離層2によって矩形の活性領域ARが規定されている。そして活性領域ARの表面にはゲート酸化膜4が形成され、その端縁部は周囲の酸化膜分離層2に一体化している。また、酸化膜分離層2の端縁部からゲート酸化膜4端縁部の上部にかけてゲート電極3が形成され、当該ゲート電極3によって矩形領域が規定されている。そして、ゲート電極3によって規定される領域のゲート酸化膜4の下部に位置する半導体層1内にはソース・ドレイン層5が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層の表面の所定領域を取り囲むように形成され、該所定領域を活性領域として規定する酸化膜分離層と、前記活性領域の表面内に、該活性領域の平面視形状に合わせて選択的に形成された第2導電型の半導体領域と、前記活性領域の表面全域に形成され、その端縁部が周囲の前記酸化膜分離層に一体化した酸化膜と、前記酸化膜と前記酸化膜分離層との境界線に沿って、該境界線近傍の前記酸化膜上から前記酸化膜分離層上にかけて形成されたゲート電極とを備える特性評価用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 Q ,  G01N 27/00 Z