光半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060948
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273369
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】簡単な構成により、低コストで製造し得ると共に、外部への光の取出し効率を向上せしめるようにした、光半導体デバイスを提供する。【構成】光半導体デバイス10は、半導体基板11と組成傾斜層12と第1クラッド層13と活性層14と第2クラッド層15とを有しており、第2クラッド層15には穴あき電極17を形成し、この穴あき電極17に対応した光半導体デバイスの反対側の半導体基板11に円板状電極16を形成し、半導体基板11面から光を外部に取り出す。

請求項（抜粋）：

発光波長に対して透明な半導体基板と、この半導体基板上に順次積層された第1クラッド層と活性層と第2クラッド層とを有する光半導体デバイスであって、第2クラッド層表面に形成した穴あき電極と、この穴あき電極に対応して半導体基板上に形成した電極とを有し、この電極を有する半導体基板を電流拡散層及び光取り出し面としたことを特徴とする光半導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-296677
LED素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-088758 出願人：和泉電気株式会社
特開昭58-159385

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