特許
J-GLOBAL ID：200903080115724443
多層硬質炭素膜の形成方法と、その装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松田 忠秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353188
公開番号（公開出願番号）：特開2003-155565
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 被処理物体Wの表面に高品質の多層硬質炭素膜を形成する。【解決手段】 被処理物体Wを収容する真空槽11と、真空槽11に原料ガス、水素ラジカルをそれぞれ供給する原料ガス供給手段20、ラジカル生成手段50と、ラジカル生成手段50に水素ガスを供給する水素ガス供給手段30と、電力供給手段40とを設ける。電力供給手段40を介し、真空槽11に導入する原料ガスをプラズマ化させ、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する第1工程と、ラジカル生成手段50を介して水素ラジカルを真空槽11内の原料ガスに供給し、ダイヤモンド膜を形成する第2工程とを交互に行ない、被処理物体Wの表面に多層硬質炭素膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空槽に収容する被処理物体の表面に多層硬質炭素膜を形成するに際し、原料ガスを導入してプラズマ化し、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成させる第1工程と、原料ガスを導入して水素ラジカルを供給し、ダイヤモンド膜を形成させる第2工程とを交互に行なうことを特徴とする多層硬質炭素膜の形成方法。
Fターム (7件)：
4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030BB13
, 4K030FA02
, 4K030KA20
, 4K030LA01
