特許

J-GLOBAL ID：200903080123393847

薄膜光電変換装置

発明者： 中西 健 ,  長野 尉絵 ,  早川 尚志 ,  谷口 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312014
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 優れた光電変換特性を有する薄膜光電変換装置を高い歩留りで提供する。【解決手段】 所定の表面粗さの凹凸を含む表面テクスチャ構造を有する基板(1,1a)上に気相成長法によって順次堆積された裏面電極(2,3,4)、半導体光電変換層(5)、および透明電極(6)を含む薄膜光電変換装置において、裏面電極は互いに異なる材質の複数の導電層(2,3,4)を含み、これらの導電層のうちで或る1つの第1導電層(2)は基板の表面粗さを維持または縮小しながら気相成長する性質を有するが、他の1つの第2導電層(3)はその表面粗さを増大ししながら気相成長する性質を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

所定の表面粗さの凹凸を含む表面テクスチャ構造を有する基板上に気相成長法によって順次堆積された裏面電極、半導体光電変換層、および透明電極を含む薄膜光電変換装置であって、前記裏面電極は互いに異なる材質の複数の導電層を含み、これらの複数の導電層の内で或る1つの第1の導電層は前記表面粗さを維持または縮小しながら気相成長する性質を有するが、他の1つの第2の導電層は前記表面粗さを増大しながら気相成長する性質を有することを特徴とする薄膜光電変換装置。

Fターム (10件)：

5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5F051GA14 ,  5F051GA16