特許
J-GLOBAL ID：200903080124690802
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177240
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】耐湿性を維持し、金属配線層間の断線やショ-ト等を回避でき、また製造加工程等の影響の受けずらい、高信頼性と高歩留りの半導体装置を提供する。【構成】フィ-ルド酸化膜2が形成された半導体基板1の一主面上に層間絶縁膜をなすBPSG膜3と、アルミ配線層5aとを具備し、前記BPSG膜3からなる絶縁膜には開孔部4が設けられ、その表面および側面が、前記アルミ配線層5で覆われ、さらに前記アルミ配線層5の直上に配設されたシリコン窒化膜6からなるパッシベ-ション膜で覆われるスクライブ・ライン構造を有する。スクライブ・ライン上でチップ側の層間絶縁膜は、金属配線層およびシリコン窒化膜により外気に直接接しない。さらに、スクライブ・ライン上の層間絶縁膜の表面および側面が金属配線層で覆われ、金属配線層のエッチング時にも、スクライブ・ライン溝上の前記層間絶縁膜の端に金属配線層のサイドウオ-ルが形成されない。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に複数の層間絶縁膜と金属配線層とを具備する半導体装置において、前記層間絶縁膜には開孔部が設けられ、前記絶縁膜の開孔部の少なくとも表面および側面が前記金属配線層および前記金属配線層上のパッシベ-ション膜で覆われるようにしてなるスクライブ・ライン構造を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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