特許

J-GLOBAL ID：200903080125517950

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 小池 稔子 ,  望月 千織
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139127
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320040
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 光電変換素子とTFTとを同時に形成する光電変換装置において、光電変換素子の受光感度を低下させず、且つTFTによる電気信号の転送スピード遅くさせなないようにする。【解決手段】 光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、変換された前記電気信号を読み出すスイッチ素子とを同じプロセスにより形成した光電変換装置において、前記スイッチ素子に備える半導体層の厚さを、前記光電変換素子に備える半導体層の厚さよりも薄くする。

請求項（抜粋）：

光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、変換された前記電気信号を読み出すスイッチ素子とを同じプロセスにより形成した光電変換装置において、前記スイッチ素子に備える半導体層の厚さを、前記光電変換素子に備える半導体層の厚さよりも薄くすることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (46件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118CA40 ,  4M118CB06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F049MA15 ,  5F049MB05 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NA08 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA07 ,  5F110AA01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK09 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04