特許

J-GLOBAL ID：200903080127285283

低誘電率材料および低誘電率薄膜形成用塗布液

発明者： 山田 紀子 ,  高橋 徹 ,  片山 真吾 ,  椎名 郁子
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239747
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087330
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子用層間絶縁膜などに適用可能な低誘電率材料および低誘電率薄膜形成用塗布液を提供すること。【解決手段】 M(-O-)n ,R1 Si(-O-)3およびR2R3Si(-O-)2から成る低誘電率材料。これらの式中、MはB, Al, Ge, Ti, Y, Zr, Nb, Ta, Siから選ばれる1種類以上の金属元素、nは金属Mが結合する酸素の数、 R1、 R2、 R3はアルキル基,アリール基またはアラルキル基を表わし、R1および/ またはR2に含まれるCH結合のそれぞれ一部または全部をCF結合で置換する。

請求項（抜粋）：

M(-O-)n 、 R1 Si(-O-)3 、 およびR2R3Si(-O-)2(これらの式中、MはB, Al, Ge, Ti, Y, Zr, Nb, Ta, Siから選ばれる1種類以上の金属元素、nは金属Mが結合する酸素の数、 R1、 R2、 R3はアルキル基,アリール基またはアラルキル基を表わし、R1および/ またはR2に含まれるCH結合のそれぞれ一部または全部がCF結合で置換されている。)から成ることを特徴とする低誘電率材料。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S