特許
J-GLOBAL ID：200903080128246451
窒化シリコン膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194428
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045322
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】DRAMなどの容量絶縁膜形成において、絶縁破壊耐圧特性の優れた窒化シリコン膜を高いスループットで形成する。【構成】下部電極である多結晶シリコン膜13上に、比較的低温で減圧気相成長法により窒化シリコン膜11を成長させ、続いて比較的高温で減圧気相成長法により、窒化シリコン膜12を成長させる。【効果】平坦性に優れた窒化シリコン膜を高い成長速度で形成することができる。
請求項（抜粋）：
複数の温度にて、減圧気相成長を行うことを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 14/06
, H01L 21/31
