半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082722
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279555
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】素子分離領域を平坦化するとともにバーズビークの発生を抑制する半導体装置を得る。【構成】 Si基板1上に第1のシリコン酸化膜2および第1のシリコン窒化膜3を積層し、Si基板1の上面の一部が露出する開口部11を形成した後、開口部11にて露出されたSi基板1を所定深さエッチングし溝12を形成し、Si基板1上に多結晶シリコン膜13および第2のシリコン窒化膜14を順次積層し、異方性エッチングにて第2のシリコン窒化膜14を溝12の底部の多結晶シリコン膜13が露出するまでエッチバックし、第2のシリコン窒化膜14aを開口部11および溝12の側壁上に、又、多結晶シリコン膜13を開口部11および溝12のSi基板1露出部上に残存させ、第1および第2のシリコン窒化膜3、14aをマスクとしてSi基板1を熱酸化し素子間分離領域15aを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に最上面が第1の耐酸化性膜から成る第1の膜を積層し、上記第1の膜に上記シリコン基板の上面の一部が露出する開口部を形成した後、上記開口部にて露出された上記シリコン基板を所定深さエッチングし溝を形成する工程と、上記シリコン基板上に非単結晶シリコン膜および第2の耐酸化性膜を順次積層する工程と、異方性エッチングにて上記第2の耐酸化性膜を上記溝の底部の上記非単結晶シリコン膜が露出するまでエッチバックし、上記第2の耐酸化性膜を上記開口部および上記溝の側壁上に、又、上記非単結晶シリコン膜を上記開口部および上記溝の上記シリコン基板露出部上に残存させる工程と、上記第1および第2の耐酸化性膜をマスクとして上記シリコン基板を熱酸化し素子間分離領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/762 , H01L 21/3065 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/76 D , H01L 21/316 X , H01L 21/318 B , H01L 21/302 J , H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-062135
特開昭60-084832
特開昭59-202648

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