ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163989
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017771
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】シリコン層のドライエッチングにおいて、下地の酸化シリコン層と有機レジストマスクとに対するシリコン層のエッチング選択性を高め、シリコン層の高加工精度とともに、下地層の低損傷性を実現する。【構成】 ECRプラズマ装置100の真空室3内に、磁場分布を設けてプラズマ密度が高い領域と比較的低い領域とを形成し、酸素を含むガスをガス供給口6から導入してプラズマ密度が高い領域で励起し、ハロゲン化ガスをガス供給口7から導入してプラズマ密度が比較的低い領域で励起するようにした。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン膜上に形成された、シリコンを含む材料からなる被エッチング層に、シリコン原子との結合力が酸素原子に比べて小さいハロゲン原子を含むハロゲン化ガスと酸素ガスとを用いてプラズマエッチング処理を施すドライエッチング方法であって、該ハロゲン化ガスと、該酸素を含むガスとを別々のガス導入経路により処理領域内に導入し、該酸素を含むガスを、ハロゲン化ガスが励起される領域よりもプラズマ密度または電子エネルギーの高いプラズマ領域で励起するドライエッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-249421
特開昭60-120525
特開平3-036723

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