特許

J-GLOBAL ID：200903080131488385

反射防止膜の形成方法及び装置並びに反射防止膜

発明者： 島山 努
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-289558
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107203
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】 所望の屈折率及び消衰係数を発現する反射防止膜を実現できる反射防止膜の形成方法等を提供する。【解決手段】 まず、要求される反射防止膜の屈折率及び消衰係数と、被処理膜の屈折率及び消衰係数が満たす一定の相関関係とから成膜及びプラズマ処理条件を適宜決定する。次に、SiウェハWが収容された処理装置1の各チャンバ4に、高周波電源Rに接続されたシャワーヘッド部40を通してSiH4ガス、N2Oガス等を供給して被処理膜を成膜する。次いで、N2Oガスのみを供給しながら、チャンバ4内にプラズマを形成し、生じた活性種により被処理膜を酸化・改質して反射防止膜を得る。このとき、被処理膜に組成や構造変化が生じ、反射防止膜の屈折率及び消衰係数は被処理膜のそれらと異なる値を示す。これにより、反射防止膜の屈折率を一定に保持しつつ、消衰係数のみを変化させ得る。

請求項（抜粋）：

基体上に、所定の屈折率及び消衰係数を発現する反射防止膜を形成する方法であって、前記基体上に成膜用原料ガスを供給し、該基体上に被処理膜を形成する成膜工程と、前記被処理膜が形成された基体上に、分子中に酸素原子を含む改質用ガスを供給し、且つ、該基体の周囲にプラズマを形成し、該被処理膜を、該被処理膜と屈折率及び消衰係数が異なる前記反射防止膜へと改質する改質工程と、前記成膜工程を実施する前に予め取得した、該成膜工程において成膜条件を変化させたときに得られる前記被処理膜の屈折率と消衰係数との相関関係と、前記反射防止膜に要求される前記所定の屈折率及び消衰係数とに基づいて、前記成膜工程における成膜条件及び前記改質工程におけるプラズマ処理条件を決定する条件設定工程と、を備える反射防止膜の成膜方法。

IPC (7件)：

G02B 1/11 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 ,  C23C 16/56 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 16/56 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/31 C ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574

Fターム (55件)：

2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  2K009AA05 ,  2K009BB04 ,  2K009CC01 ,  2K009CC02 ,  2K009CC14 ,  2K009CC42 ,  2K009DD03 ,  2K009DD08 ,  2K009DD12 ,  2K009DD17 ,  4F100AA12B ,  4F100AA20B ,  4F100AB11 ,  4F100AD04B ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH662 ,  4F100EJ582 ,  4F100EJ612 ,  4F100GB41 ,  4F100JA20B ,  4F100JN06 ,  4F100JN06B ,  4F100YY00 ,  4F100YY00B ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA35 ,  4K030FA03 ,  4K030HA12 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11 ,  5F045AA09 ,  5F045AB34 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB00 ,  5F045CB06 ,  5F045DP11 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F046PA03 ,  5F046PA04 ,  5F046PA12