特許
J-GLOBAL ID:200903080132283736

研磨制御方法、研磨装置及び半導体デバイス製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大西 正悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-211403
公開番号(公開出願番号):特開2006-032764
出願日: 2004年07月20日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
【課題】 被研磨部材の研磨前後の膜厚から研磨時間を設定する方法と、研磨その場計測により終点を検出する方法とを相互に連携させた研磨制御方法及びこの方法を用いた研磨装置及び半導体デバイス製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る研磨制御方法は、被研磨部材の研磨加工において、研磨加工の終了を判断するものであり、所定の条件により設定された予測研磨時間TEと、研磨加工中に測定された被研磨部材の研磨中厚さ情報に基づいて研磨加工の終点を検出するEPD部からの終点情報とを互いに連携させて研磨加工の終了を判断する。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
被研磨部材の研磨加工において、前記研磨加工の終了を判断する研磨制御方法であって、 所定の条件により設定された研磨時間と、研磨加工中に測定された前記被研磨部材の研磨中厚さ情報に基づいて前記研磨加工の終点を検出する終点判定手段からの終点情報とを互いに連携させて前記研磨加工の終了を判断することを特徴とする研磨制御方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ,  B24B 49/02
FI (2件):
H01L21/304 622S ,  B24B49/02 Z
Fターム (10件):
3C034AA13 ,  3C034AA17 ,  3C034AA19 ,  3C034CA02 ,  3C034CA03 ,  3C034CA04 ,  3C034CA22 ,  3C034CB03 ,  3C034DD10 ,  3C034DD20
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第3360610号公報

前のページに戻る