消去不能光学データ記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：清水初志 , 橋本一憲 , 新見浩一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-590363
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530246
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

本発明は、消去不能光学データ機能を有する材料、およびこのような材料を含む装置、ならびに光学データを記憶する方法、およびこのような機能を実行する装置に関する。特に、三次元光学データ記憶装置のデータ記憶材料を、合焦させた電磁放射にさらす段階を含む、消去不能光学データを記憶する方法であって、放射は、データ記憶材料内にマイクロキャビティを形成させるのに適切な波長および電力を有し、マイクロキャビティの位置により、記憶データが符号化され;データ記憶材料は、ポリマー・マトリックス、およびポリマー・マトリックス内に分散させた感光剤を含む方法が提供される。

請求項（抜粋）：

三次元光学データ記憶装置のデータ記憶材料を、合焦させた電磁放射にさらす段階を含む、消去不能光学データを記憶する方法であって、放射は、データ記憶材料内にマイクロキャビティを形成させるのに適切な波長および電力を有し、マイクロキャビティの位置により、記憶データが符号化され、データ記憶材料は、ポリマー・マトリックス、およびポリマー・マトリックス内に分散させた感光剤を含む方法。

IPC (5件)：

G11B7/004 , B41M5/26 , G03C1/73 , G11B7/125 , G11B7/24

FI (7件)：

G11B7/004 Z , G03C1/73 , G11B7/125 A , G11B7/24 516 , G11B7/24 522A , G11B7/24 522L , B41M5/26 Y

Fターム (40件)：

2H111EA03 , 2H111EA12 , 2H111EA24 , 2H111FB42 , 2H111FB50 , 2H111FB60 , 2H123AE00 , 2H123AE01 , 5D029JA04 , 5D029JB11 , 5D029JB16 , 5D029JB47 , 5D029JC06 , 5D090AA01 , 5D090AA10 , 5D090BB03 , 5D090BB12 , 5D090BB17 , 5D090CC01 , 5D090CC04 , 5D090DD01 , 5D090DD05 , 5D090EE01 , 5D090FF11 , 5D090GG40 , 5D090KK07 , 5D090KK15 , 5D789AA22 , 5D789BA01 , 5D789BA10 , 5D789BB02 , 5D789BB13 , 5D789DA01 , 5D789DA05 , 5D789EC47 , 5D789FA02 , 5D789FA03 , 5D789FA04 , 5D789FA08 , 5D789HA44

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