特許

J-GLOBAL ID：200903080133699162

半導体素子内の異なる導電層を研磨する方法

発明者： ラジーブ・バハ ,  ハノス・ファーカス ,  サン・シー・キム ,  ジャイム・サラビア
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093962
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270399
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 2つの異なる導電性物質を効果的に研磨可能な費用効率が高い研磨方法を提供する。【解決手段】 半導体素子基板上に堆積された2種類の異なる導電性物質を研磨する方法は、各導電性物質の研磨を独立して最適化しつつ、製造効率のために同一の研磨機器を利用する。研磨装置(10)を用いて、半導体素子基板(250)のタングステン層(258)およびチタン層(256)を研磨するが、その際異なる2種類のスラリ調合を用いる。2種類のスラリは、2つの異なる供給元容器(111,112)から同じ研磨プラテン(132)上に順次施与することができる。タングステンを除去するまで第1スラリを施与し、続いてスラリ施与をチタン除去のための第2スラリに切り替える。好適実施例では、第1スラリ調合品は硝酸第二鉄スラリであり、第2スラリ調合品は蓚酸スラリである。

請求項（抜粋）：

半導体素子の形成方法であって:半導体物質;前記半導体物質を覆うパターニングされた絶縁層(255)であって、開口を含むようにパターニングされた絶縁層(255);第1物質を含み、前記パターニングされた絶縁層上を覆い、前記開口内を充填する第1導電層(256);および前記第1物質とは異なる第2物質を含み、前記第1導電層を覆う第2導電層(258);を有する基板(250)を用意する段階;第1酸化成分を含む第1研磨流体を用いて前記第2導電層を研磨し、前記第1導電層の一部を露出させる段階;ならびに前記第1酸化成分とは異なる第2酸化成分を含む第2研磨流体を用いて前記第1導電層を研磨し、前記パターニングされた絶縁層の一部を露出させる段階;から成ることを特徴とする方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-135434