特許
J-GLOBAL ID：200903080135024383
磁電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097901
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274385
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 磁電変換素子において、感磁部の応力に基づく不平衡電圧の変化率が小さく、かつ水分が侵入しない保護膜をチップ表面に形成すること。【構成】 感磁部を有するチップ表面に熱硬化性樹脂の保護膜または絶縁性の無機物保護膜と前記樹脂保護膜を積層した保護膜を形成した磁電変換素子である。
請求項（抜粋）：
感磁部を有するチップ表面に熱硬化性樹脂の保護膜が形成されてなる磁電変換素子。
FI (2件)：
H01L 43/06 H
, H01L 43/06 P
