特許

J-GLOBAL ID：200903080137429801

エッチングの終点検出方法

発明者： 大島 久純 ,  荻野 誠裕 ,  磯部 良彦 ,  大谷 篤史
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033979
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233384
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 エッチング終点を正確に検出することができるエッチング終点検出方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェハ1上に形成された酸化膜のうちエッチング除去する部分に励起光を照射し、この励起光によって照射された部分において発生するフォトルミネセンス光の強度を検出する。そして、エッチングによって露出したシリコンウェハ1の表面における未接合手が、エッチング液2に含まれる水素等と結合し、シリコンウェハ1の表面が終端されることによって生じるフォトルミネセンス光の強度の変動に基づきエッチング終点を検出する。すなわち、フォトルミネセンス光強度は、シリコンウェハ1の表面が不活性化しているか否かによって大きく変動するため、この強度変動に基づきエッチング終点を検出する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1、21)表面に形成された被エッチング材料をエッチング液(2、24)を用いてエッチング除去し、前記半導体基板(1、21)表面を露出させるエッチングの終点検出方法であって、前記被エッチング材料のうちエッチング除去する部分に励起光を照射し、この励起光によって照射された部分において発生するフォトルミネセンス光の強度を検出し、エッチングによって露出した前記半導体基板(1、21)の表面における未接合手が、前記エッチング液(2、24)に含まれる元素と結合し、前記半導体基板(1、21)の表面が終端されることによって生じる前記フォトルミネセンス光の強度の変動に基づきエッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング終点検出方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/306 U ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/302 E